此處的RCD吸收設(shè)計(jì)，可以這樣認(rèn)為：為了吸收振蕩尖峰，C應(yīng)該有足夠的容值，已便...此處的RCD吸收設(shè)計(jì)，可以這樣認(rèn)為：為了吸收振蕩尖峰，C應(yīng)該有足夠的容值，已便在吸收尖峰能量后，電容上的電壓不會(huì)太高，為了平衡電容上的能量，電阻R需將存儲(chǔ)在...
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定...晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散功率。耗散功率與晶體管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有...
上式反應(yīng)了增大VSB會(huì)導(dǎo)致 Vt的增加，盡管VGS保持恒定的情況下也會(huì)增大ID 。換句...上式反應(yīng)了增大VSB會(huì)導(dǎo)致 Vt的增加，盡管VGS保持恒定的情況下也會(huì)增大ID 。換句話說(shuō)，VBS同樣能控制ID的大小，因此體極和柵極具有相同的控制ID的能力，這個(gè)效應(yīng)稱...
MOS管的柵極放了一個(gè)電容，當(dāng)按按鍵1的時(shí)候，電源通過(guò)R1給電容充電，，MOS管柵...MOS管的柵極放了一個(gè)電容，當(dāng)按按鍵1的時(shí)候，電源通過(guò)R1給電容充電，，MOS管柵極的電壓慢慢增大，流過(guò)MOS管的電流也慢慢增大，LED慢慢變亮。中間若松開(kāi)按鍵，則LE...
LED的亮度取決于輸出電壓。由于穩(wěn)壓器是可變的，因此LED的亮度也是可變的。電位...LED的亮度取決于輸出電壓。由于穩(wěn)壓器是可變的，因此LED的亮度也是可變的。電位計(jì)P1用于粗略調(diào)整，而P2用于以更精細(xì)的分辨率調(diào)整亮度。穩(wěn)壓器電路的輸出可在0至4....
可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，除陽(yáng)極要承受正向電壓外，門(mén)極還要加上適當(dāng)?shù)挠|發(fā)電壓，...可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，除陽(yáng)極要承受正向電壓外，門(mén)極還要加上適當(dāng)?shù)挠|發(fā)電壓，改變觸發(fā)脈沖輸出時(shí)刻便可達(dá)到改變輸出直流電壓的目的。為門(mén)極提供觸發(fā)電壓和電流的...
