源極(S):在符號中始終表現為兩條導線的交叉點,負責為導電溝道提供載流子(...源極(S):在符號中始終表現為兩條導線的交叉點,負責為導電溝道提供載流子(電子或空穴),是電流的輸入或輸出端。 漏極(D):在符號中為單獨引線的一側,作為...
ao3400場效應管代換型號KIA3400漏極電流4.8A,漏源擊穿電壓30V,采用先進的溝槽...ao3400場效應管代換型號KIA3400漏極電流4.8A,漏源擊穿電壓30V,采用先進的溝槽技術制造,極低導通電阻RDS(開啟)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作,減少開關...
KNH2906B場效應管漏源擊穿電壓60V,漏極電流130A,極低導通電阻RDS(開啟) 4.6m...KNH2906B場效應管漏源擊穿電壓60V,漏極電流130A,極低導通電阻RDS(開啟) 4.6mΩ,最大限度地減少導電損耗,提高效率;采用KIA半導體尖端技術制造,具有?快速開關...
電源從左側正常輸入時: 當VCC有效時,PMOS的體二極管率先導通,隨后S極的電壓...電源從左側正常輸入時: 當VCC有效時,PMOS的體二極管率先導通,隨后S極的電壓由先前的0V變成了(VCC-0.7),此時Vgs = 0 -(VCC-0.7)= -VCC+0.7。
SOT-89是表面貼裝晶體管封裝形式之一,主要用于中功率場景。 SOT-89封裝尺寸規...SOT-89是表面貼裝晶體管封裝形式之一,主要用于中功率場景。 SOT-89封裝尺寸規范: 主體尺寸4.5mm(長)×2.45mm(寬)×1.55mm(高) 引腳布局:3/5引腳配置,...
KNF7150A?場效應管漏源擊穿電壓500V,漏極電流20A,采用專有平面技術制造,極...KNF7150A?場效應管漏源擊穿電壓500V,漏極電流20A,采用專有平面技術制造,極低導通電阻RDS(開啟) 0.24Ω,最大限度地減少導電損耗,低柵極電荷,有效降低開關損...