2906場效應管,整流mos,?60v130a,KNH2906B參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-11-10
KNH2906B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 4.6mΩ，最大限度地減少導電損耗，提高效率；采用KIA半導體尖端技術制造，具有快速開關響應、低導通電阻、低柵極電荷，尤其在雪崩擊穿特性方面表現卓越；100% 經雪崩擊穿測試、dv/dt能力提升，穩定可靠，廣泛應用于同步整流、鋰電池保護板和逆變器等多種應用場景，性能優越；封裝形式：TO-3P，散熱效果好，適合高功率應用場景。
詳細參數：
漏源電壓：60V
漏極電流：130A
導通電阻：4.6mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：580A
雪崩能量單脈沖：506MJ
總功耗：312.5W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：148nC
輸入電容：6564PF
輸出電容：553PF
反向傳輸電容：396PF
開通延遲時間：35nS
關斷延遲時間：135nS
上升時間：78ns
下降時間：60ns
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