通過三極管作為中間級，來提高驅(qū)動能力和確保MOS管正常工作。? 單片機I/O口的...通過三極管作為中間級，來提高驅(qū)動能力和確保MOS管正常工作。? 單片機I/O口的電壓通常較低，而MOS管需要較高的驅(qū)動電壓才能達到飽和狀態(tài)，因此直接驅(qū)動可能會導(dǎo)致...
最理想的 MOSFET 驅(qū)動器電路如圖1所示。這種配置常用于升壓（boost）、反激式和...最理想的 MOSFET 驅(qū)動器電路如圖1所示。這種配置常用于升壓（boost）、反激式和單開關(guān)的正激開關(guān)電源拓撲結(jié)構(gòu)中。采用正確的布板技巧和選擇合適的偏置電壓旁路電容...
VT1為NPN型三極管，其基極輸入信號的幅度只有5V，而MOS場效應(yīng)管VT2的開啟電壓較...VT1為NPN型三極管，其基極輸入信號的幅度只有5V，而MOS場效應(yīng)管VT2的開啟電壓較高，要想使其充分導(dǎo)通，其柵極驅(qū)動電壓一般要求≥10V。
L為PCB走線電感，一般直走線為1nH/mm，考慮雜七雜八的因素，取L = Length+10（...L為PCB走線電感，一般直走線為1nH/mm，考慮雜七雜八的因素，取L = Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg為柵極驅(qū)動電阻，設(shè)驅(qū)動信號是12V峰值的方波，Cgs為MO...
利用自舉升壓結(jié)構(gòu)將上拉驅(qū)動管N4的柵極（B點）電位抬升，使得UB》VDD+VTH ，則...利用自舉升壓結(jié)構(gòu)將上拉驅(qū)動管N4的柵極（B點）電位抬升，使得UB》VDD+VTH ，則NMOS管N4工作在線性區(qū)，使得VDSN4 大大減小，最終可以實現(xiàn)驅(qū)動輸出高電平達到VDD。而...
由 Vcc 供電的 LM386 使用電阻器 R1 和電容器 C2。這是為了防止電路振蕩。電阻...由 Vcc 供電的 LM386 使用電阻器 R1 和電容器 C2。這是為了防止電路振蕩。電阻R2和電容C3在上述電路中起著重要作用，因為它改變了輸出中獲得的輸出增益。增加一個...
