這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過特...這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過特別定制，可以最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承...
boost電路中，二極管和電感的平均電流的區(qū)別在于，當(dāng) mosfet 開啟時，二極管中...boost電路中，二極管和電感的平均電流的區(qū)別在于，當(dāng) mosfet 開啟時，二極管中的電流為 0，電感電流線性增大；當(dāng) mosfet 關(guān)斷時，二極管與電感串聯(lián)，二者電流相等...
輸入偏置電流會流過外面的電阻網(wǎng)絡(luò)，從而轉(zhuǎn)化成運放的失調(diào)電壓，再經(jīng)運放話后就...輸入偏置電流會流過外面的電阻網(wǎng)絡(luò)，從而轉(zhuǎn)化成運放的失調(diào)電壓，再經(jīng)運放話后就到了運入的輸出端，造成了運放的輸入誤差。
KIA60R380功率MOSFET采用KIA先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)。該先進(jìn)技術(shù)經(jīng)過特別定制，可...KIA60R380功率MOSFET采用KIA先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)。該先進(jìn)技術(shù)經(jīng)過特別定制，可最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。...
運放的輸入偏置電流 Ib 和輸入失調(diào)電流 Ios，眾說周知，理想運放是沒有輸入偏置...運放的輸入偏置電流 Ib 和輸入失調(diào)電流 Ios，眾說周知，理想運放是沒有輸入偏置電流 Ib 和輸入失調(diào)電流 Ios 的。但每一顆實際運放都會有輸入偏置電流 Ib 和輸入失...
運放的輸入共模電容 Ccm 和差模電容 Cdiff 會形成運放的輸入電容 Cin。在許多應(yīng)...運放的輸入共模電容 Ccm 和差模電容 Cdiff 會形成運放的輸入電容 Cin。在許多應(yīng)用中，運算放大器的輸入電容都不會造成問題。但在某些應(yīng)用中會引起放大電路的不穩(wěn)定...
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