KIA設計生產(chǎn)的超結(jié)場效應管用先進的耐壓原理和優(yōu)化的設計結(jié)構(gòu)，全新600~900V系...KIA設計生產(chǎn)的超結(jié)場效應管用先進的耐壓原理和優(yōu)化的設計結(jié)構(gòu)，全新600~900V系列產(chǎn)品為系統(tǒng)應用提供充足的耐壓余量，簡化系統(tǒng)設計難度，提高系統(tǒng)可靠性，滿足客戶...
放大器的建立時間是當運輸入為階躍信號時，運放的輸出響應進入并保持在規(guī)定誤差...放大器的建立時間是當運輸入為階躍信號時，運放的輸出響應進入并保持在規(guī)定誤差帶所需的時間。
大致可以根據(jù)防反接保護器件分為電阻，二極管，電阻||二極管，NMOS 和 PMOS 幾...大致可以根據(jù)防反接保護器件分為電阻，二極管，電阻||二極管，NMOS 和 PMOS 幾種類型，而根據(jù)防反接保護電路的位置，又可以分為 VCC 端和 GND 端。
超結(jié)MOS管KCX6265A是使用KIA半導體先進的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進的技術(shù)經(jīng)過...超結(jié)MOS管KCX6265A是使用KIA半導體先進的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進的技術(shù)經(jīng)過特別定制，可以最大限度地減少導通損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下...
PMOS的高邊防反接使用自驅(qū)效應，但其存在待機電流偏大和電流反灌隱患，并且PMO...PMOS的高邊防反接使用自驅(qū)效應，但其存在待機電流偏大和電流反灌隱患，并且PMOS價格偏高，幾乎沒有使用驅(qū)動IC+PMOS高邊防反這種設計，所以為了均衡價格因素和Rdso...
高壓的功率 MOSFET 通常采用平面型結(jié)構(gòu)，其中，厚的低摻雜的 N-的外延層，即 e...高壓的功率 MOSFET 通常采用平面型結(jié)構(gòu)，其中，厚的低摻雜的 N-的外延層，即 epi 層，用來保證具有足夠的擊穿電壓，低摻雜的 N-的 epi 層的尺寸越厚，耐壓的額定值...
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