KIA半導(dǎo)體生產(chǎn)的KIA740H熱銷于逆變器后級電路應(yīng)用中，優(yōu)質(zhì)高效；KIA740H N溝道...KIA半導(dǎo)體生產(chǎn)的KIA740H熱銷于逆變器后級電路應(yīng)用中，優(yōu)質(zhì)高效；KIA740H N溝道增強(qiáng)型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，如開關(guān)穩(wěn)壓器、開關(guān)轉(zhuǎn)換...
充電開始時(shí)，應(yīng)先檢測待充電電池的電壓，如果電壓低于3V，要先進(jìn)行預(yù)充電，充電...充電開始時(shí)，應(yīng)先檢測待充電電池的電壓，如果電壓低于3V，要先進(jìn)行預(yù)充電，充電電流為設(shè)定電流 的1/10，一般選0.05C左右。電壓升到3V后，進(jìn)入標(biāo)準(zhǔn)充電過程。
普遍來說，最高效的方式開始都是恒流充電（充電速度較快)，然后是恒壓充電（充...普遍來說，最高效的方式開始都是恒流充電（充電速度較快)，然后是恒壓充電（充電速度下來了，因?yàn)殡姵乇旧淼碾妷荷先チ?，最后是涓流充電（在充滿電后，補(bǔ)償因自放...
KNH8150A 30A 500V產(chǎn)品特征 先進(jìn)的平面加工技術(shù) RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10...KNH8150A 30A 500V產(chǎn)品特征 先進(jìn)的平面加工技術(shù) RDS(ON),typ.=150mΩ@VGS=10V 低柵極電荷使開關(guān)損耗最小化 堅(jiān)固的多晶硅柵極工藝
1.如果使用過溫保護(hù)功能R3為懸空(不焊接)狀態(tài)。同時(shí)需要把RNTC以及R4焊接上。 ...1.如果使用過溫保護(hù)功能R3為懸空(不焊接)狀態(tài)。同時(shí)需要把RNTC以及R4焊接上。 2.如果不使用過溫保護(hù)，R3接入1k左右電阻，同時(shí)RNTC、R4為懸空狀態(tài)。
U相N下管：mcu的5v管腳控制導(dǎo)通，0控制關(guān)斷。 U相N上管：在U相下管導(dǎo)通的時(shí)候...U相N下管：mcu的5v管腳控制導(dǎo)通，0控制關(guān)斷。 U相N上管：在U相下管導(dǎo)通的時(shí)候，U相對應(yīng)的自舉電路電容是在充電的，此時(shí)UGH的控制腳UH為1，將UGH拉在GND上，保證上...
