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低壓mos管用在什么產品上？

中低壓MOSFET功率器件通常指工作電壓為10V-300V之間的MOSFET 功率器件，中低壓MOSFET功率器件結構通常包括溝槽柵VDMOS及屏蔽柵MOSFET。

低壓mos管常見的場景：

開關電源的應用

馬達控制應用

新能源汽車應用

智能家居、LED燈具的驅動等

在電動汽車領域，中低壓MOS管被廣泛應用于電池管理系統、電機控制器和車載充電器等設備中。

在智能家居和物聯網領域，中低壓MOS管能廣泛應用于各種智能設備和傳感器中，如智能插座、智能燈泡、智能門鎖等。

5G通信、云計算和大數據等新興領域的快速發展，中低壓MOS管優良的性能和穩定性，成為了這些領域的理想選擇。

低壓mos管型號

KIA2300，漏源電壓 Bvdss(v)：20，漏極電流 ID(A)：6，RDSON（mΩ）VGS=5V：0.03，N溝道，封裝SOT-23，應用領域：智能家居、藍牙耳機、藍牙音箱、通訊設備

KIA2301，漏源電壓 Bvdss(v)：-20，漏極電流 ID(A)：-2.8，RDSON（mΩ）VGS=5V：0.12，P溝道，封裝SOT-23，應用領域：LED感應燈、玩具、藍牙音箱

KIA2306，漏源電壓 Bvdss(v)：30，漏極電流 ID(A)：3.5，RDSON（mΩ）VGS=5V：0.057，N溝道，封裝SOT-23，應用領域：LED感應燈、玩具、藍牙音箱

KIA3401，漏源電壓 Bvdss(v)：-30，漏極電流 ID(A)：-4，RDSON（mΩ）VGS=5V：0.06，P溝道，封裝SOT-23，應用領域：LED感應燈、玩具、藍牙音箱

KIA4603A，漏源電壓 Bvdss(v)：30，漏極電流 ID(A)：7，RDSON（mΩ）VGS=5V：0.0145，N溝道，封裝SOP-8，應用領域：鋰電池保護板/逆變器/智能醫療

KIA50N03A，漏源電壓 Bvdss(v)：30，漏極電流 ID(A)：50，RDSON（mΩ）VGS=10V：9，N溝道，封裝TO-252，應用領域：鋰電池保護板/LED產品

KIA100N03A，漏源電壓 Bvdss(v)：30，漏極電流 ID(A)：90，RDSON（mΩ）VGS=10V：4，N溝道，封裝TO-252，應用領域：小功率LED/鋰電池保護板

KIA2803A，漏源電壓 Bvdss(v)：30，漏極電流 ID(A)：150，RDSON（mΩ）VGS=10V：3，N溝道，封裝TO-263/220，應用領域：鋰電池保護板/玩具

KIA2804N，漏源電壓 Bvdss(v)：40，漏極電流 ID(A)：150，RDSON（mΩ）VGS=10V：4，N溝道，封裝TO-263/220，應用領域：鋰電池保護板、逆變器

KIA2404A，漏源電壓 Bvdss(v)：40，漏極電流 ID(A)：190，RDSON（mΩ）VGS=10V：3.5，N溝道，封裝TO-247，應用領域：光伏逆變/電魚機

KIA30N06B，漏源電壓 Bvdss(v)：60，漏極電流 ID(A)：25，RDSON（mΩ）VGS=10V：30，N溝道，封裝TO-252/251，應用領域：HID車燈/LED驅動/醫療器械/警用單車防盜

KIA50N06B，漏源電壓 Bvdss(v)：60，漏極電流 ID(A)：50，RDSON（mΩ）VGS=10V：12.5，N溝道，封裝TO-220/252，應用領域：電源適配器,開關電源,UPS電源,車載功放,電動工具,HID安定器

KND3306B，漏源電壓 Bvdss(v)：60，漏極電流 ID(A)：80，RDSON（mΩ）VGS=10V：8，N溝道，封裝TO-252，應用領域：逆變器、混頻離子機、鋰電池保護板

KNB3206A，漏源電壓 Bvdss(v)：60，漏極電流 ID(A)：110，RDSON（mΩ）VGS=10V：6.5，N溝道，封裝TO-263/220/3P/252，應用領域：鋰電池保護板、電源

KIA2906A，漏源電壓 Bvdss(v)：60，漏極電流 ID(A)：130，RDSON（mΩ）VGS=10V：7，N溝道，封裝TO-220/3P/247，應用領域：逆變器、汽車打火器/電腦適配器

KIA2806A，漏源電壓 Bvdss(v)：60，漏極電流 ID(A)：160，RDSON（mΩ）VGS=10V：4.5，N溝道，封裝TO-263/220/3P/247，應用領域：逆變器、鋰電池保護板

KNP1906B，漏源電壓 Bvdss(v)：60，漏極電流 ID(A)：230，RDSON（mΩ）VGS=10V：3.5，N溝道，封裝TO-220，應用領域：光伏逆變/電魚機/鋰電池保護板

KIA3407A，漏源電壓 Bvdss(v)：70，漏極電流 ID(A)：80，RDSON（mΩ）VGS=10V：11，N溝道，封裝TO-220，應用領域：控制器、逆變器、鋰電池保護板

KIA3508A，漏源電壓 Bvdss(v)：80，漏極電流 ID(A)：70，RDSON（mΩ）VGS=10V：12，N溝道，封裝TO-252/263/220，應用領域：電動車控制器/鋰電池保護板

KNX3308A，漏源電壓 Bvdss(v)：80，漏極電流 ID(A)：80，RDSON（mΩ）VGS=10V：9，N溝道，封裝TO-252/263/220/247，應用領域：電動車控制器/逆變器/BMS保護板

KIA2808A，漏源電壓 Bvdss(v)：80，漏極電流 ID(A)：150，RDSON（mΩ）VGS=10V：1.5，N溝道，封裝TO-263/220/247/3P，應用領域：鋰電池保護板/控制器、逆變器

KIA75NF75，漏源電壓 Bvdss(v)：80，漏極電流 ID(A)：80，RDSON（mΩ）VGS=10V：9，N溝道，封裝TO-220，應用領域：電動車控制器/逆變器/BMS

低壓mos管型號選型

選擇低壓MOS管時，需要考慮以下幾個關鍵因素：

溝道類型選擇：在典型的功率應用中，低壓側開關通常使用N溝道MOS管，這是考慮到關閉或導通器件所需的電壓。如果MOS管連接到總線及負載接地時，可能會使用P溝道MOS管。

額定電流：選擇的MOS管額定電流應能滿足負載在所有情況下的最大電流需求，并考慮到系統產生尖峰電流時的承受能力。

散熱要求：必須計算系統的散熱要求，并考慮最壞情況和實際情況。

開關性能：需要考慮影響開關性能的多個參數，如Vgsth（開啟電壓）、Rdson（導通時D-S端的直流電阻）等。

封裝尺寸：選擇與電路板大小相適且能通過所需電流的封裝。

Vgsth（閾值電壓）：對于NMOS管，這是一個關鍵參數，它決定了打開MOS管所需的電壓。

Rdson（導通電阻）：希望這個參數越小越好，以減小MOS管的分壓和熱量產生。

最大VDS（漏極至源極間最大電壓）：必須足夠大，以覆蓋整個工作溫度范圍內電壓的變化，并考慮到其他安全因素。

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