p溝道場效應管工作原理,導通條件-KIA MOS管

p溝道場效應管

P溝道場效應管由P型半導體材料構成的溝道、柵極以及源極和漏極組成。溝道是P型半導體，其中多數載流子為空穴。

導電通道類型： P溝道場效應管的導電通道是p型半導體構成的，在介質中需要接通陰極和陽極之間的電流，需要施加負電壓到柵極上。

極性： P溝道場效應管的柵極對源極的介質結構呈正電壓。

p溝道場效應管,原理

p溝道場效應管工作原理

p溝道場效應管是由溝道、柵極和源、漏極組成。在工作時，柵極和漏極間存在反向電壓，形成了橫向電場，使溝道中的載流子移動方式發生變化，進而控制漏極與源極之間的電流大小。當柵極施加正電壓時，溝道中的空穴濃度減小，形成一個減小的導電截面，電流減小，器件為“關態”；當柵極施加負電壓時，溝道中的空穴濃度增加，形成擴散區域，電流增加，器件為“開態”。

電流控制：

柵極電壓控制溝道中的空穴濃度，進而控制源極和漏極之間的電流。

柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制溝道截面積，從而控制電流。

由于P溝道MOSFET在關態時漏電流較小，它常被用作低功耗電路中的開關或放大器。在需要高輸入阻抗的應用中，P溝道MOSFET也表現出色。

p溝道場效應管導通條件

在G極上加一個觸發電壓，使N極與D極導通。對N溝道G極電壓為+極性。對P溝道的G極電壓為-極性。場效應管的導通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型場效應管來說，N溝道的管子加正向電壓即導通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就可以了。

P溝道：Ug<Us時導通。（簡單認為）Ug=Us時截止。

p溝道場效應管,原理