在MOS開通過程中，伴隨很大的電壓瞬變，即dv/dt，從而在寄生電容中產生大的位移...在MOS開通過程中，伴隨很大的電壓瞬變，即dv/dt，從而在寄生電容中產生大的位移電流Cdv/dt，形成電流尖峰；在MOS關斷過程中，通道內產生電流瞬變，di/dt，瞬變電流...
這個電路主要用到了一個電容的充電回路，這里需要引入一個時間常數，如果剛給電...這個電路主要用到了一個電容的充電回路，這里需要引入一個時間常數，如果剛給電路通上電，并且按下左面的開關，那么電流會通過R1和R2和按鈕開關給電容充電，這個充...
一般在判斷好壞的時候先對MOS管放電，放電的目的就是使G極（柵極）和S極（源極...一般在判斷好壞的時候先對MOS管放電，放電的目的就是使G極（柵極）和S極（源極）電位相同，放電直接在G極和S極之間用導線短接一下就可以了，也可以串接個電阻。
頻率：300 MHz 額定電壓(DC)：160 V 額定電流：600 mA 耗散功率：350 mW 擊...頻率：300 MHz 額定電壓(DC)：160 V 額定電流：600 mA 耗散功率：350 mW 擊穿電壓(集電極-發射極)：160 V
漏極電流（ID）：3 A 漏-源極電壓（VDSS）：20 V 漏-源極通態電阻（RDS(on)）...漏極電流（ID）：3 A 漏-源極電壓（VDSS）：20 V 漏-源極通態電阻（RDS(on)）：0.06 Ω 耗散功率（PD）：1.25 W 封裝：SOT-23
MOSFET屬于單極性器件。MOS管，金屬氧化物氧化物場效應晶體管（Metal Oxide Se...MOSFET屬于單極性器件。MOS管，金屬氧化物氧化物場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor FET，簡稱MOS-FET，是應用場效應原理工作的半導體器件，屬于電壓控制型...
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