在這個電路圖中，功率器件采用晶體管。晶體管起到高速開關(guān)的作用。像這樣不工作...在這個電路圖中，功率器件采用晶體管。晶體管起到高速開關(guān)的作用。像這樣不工作在放大狀態(tài)、起開關(guān)作用的器件，叫做“開關(guān)器件”。實際上，這里運用的并不是普通晶...
由ICIA、電阻R9、R10、R11、R12、R13、電容C4、二極管D6組成鋸齒波產(chǎn)生電路，在...由ICIA、電阻R9、R10、R11、R12、R13、電容C4、二極管D6組成鋸齒波產(chǎn)生電路，在ICIA的④腳輸出鋸齒波。PWM調(diào)制實質(zhì)上也是一個比較器，ICIB⑦腳上的電壓與⑥的鋸齒...
LED日光燈管安裝簡單，并不復雜。安裝時將原有的日光燈取下?lián)Q上LED日光燈，并將...LED日光燈管安裝簡單，并不復雜。安裝時將原有的日光燈取下?lián)Q上LED日光燈，并將鎮(zhèn)流器和起輝器去掉，讓220V交流市電直接加到LED日光燈兩端即可。 安裝說明： 1、...
左圖在控制端從低電平往高電平切換時，Vbe>0，Q2關(guān)斷，充電電流從二極管D流入，...左圖在控制端從低電平往高電平切換時，Vbe>0，Q2關(guān)斷，充電電流從二極管D流入，Q1開啟；右圖在控制端從高電平往低電平切換時，G極電平不會瞬間變化，此時Vbe<-0.7...
襯底材料對MOSFET的閾值電壓有顯著影響。例如，普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，...襯底材料對MOSFET的閾值電壓有顯著影響。例如，普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，但在高溫、高電場下易發(fā)生擊穿，從而降低了閾值電壓。因此，一些高溫處理的MOSFET采...
KNH9120A場效應管采用專有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，RDS（...KNH9120A場效應管采用專有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低導通電阻有助于減少功率損耗和發(fā)熱，具有低柵極電...
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