MOS管快速關斷,加速mos管關斷電路-KIA MOS管

提高驅動電流能力

直接用單片機IO口驅動來實現(xiàn)MOS管快速開關太困難了，畢竟單片機IO口驅動能力實在有限。選用兩個三極管搭建推挽輸出驅動電路是個成本較低的不錯選擇。

MOS管關斷,快速,加速

PNP加速關斷驅動電路

如圖使用PNP加速NMOS關斷，開啟時電流通過二極管D，關斷時則利用PNP三極管主動從G極汲取電流。

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下圖展示了PNP加速NMOS關斷的動態(tài)過程電流流向。左圖在控制端從低電平往高電平切換時，Vbe>0，Q2關斷，充電電流從二極管D流入，Q1開啟；右圖在控制端從高電平往低電平切換時，G極電平不會瞬間變化，此時Vbe<-0.7V,Q2導通，Q2快速將電荷從G極汲取走，使G極電平快速下降，達到Q1快速關斷的目的。

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PNP加速關斷電路是目前應用最多的電路，在加速三極管的作用下可以實現(xiàn)瞬間的柵源短路，從而達到最短的放電時間。之所以加二極管，一方面是保護三極管基極，另一方面是為導通電流提供回路及偏置。

該電路的優(yōu)點為可以近似達到推拉的效果，加速效果明顯。缺點是柵極由于經(jīng)過兩個PN節(jié)，不能使柵極真正的達到OV（GND），但電壓很低，不影響NMOS的完全關斷。

NPN加速關斷驅動電路圖

使用NPN加速PMOS關斷的電路，關斷時電流通過二極管D，導通時則利用NPN三極管主動往G極灌入電流。

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下圖展示了NPN加速PMOS關斷的動態(tài)過程電流流向。左圖在控制端從高電平往低電平切換時，Vbe<0,Q1關斷，放電電流從二極管D流出，Q2開啟；右圖在控制端從低電平往高電平切換時，G極電平不會瞬間變化，此時Vbe>0.7V,Q1導通，Q1快速將電荷從G極灌入，使G極電平快速上升，達到Q2快速關斷的目的。

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