KNB2803S場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.0m...KNB2803S場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測(cè)試、改進(jìn)...
絕緣層薄，承受高電壓的能力差。 高輸入阻抗使其對(duì)電壓變化敏感。 靜電放電會(huì)...絕緣層薄，承受高電壓的能力差。 高輸入阻抗使其對(duì)電壓變化敏感。 靜電放電會(huì)在短時(shí)間內(nèi)施加過高的電壓，導(dǎo)致絕緣層擊穿。
反向電流IR：在被測(cè)管兩端加規(guī)定反向工作電壓VR時(shí)，二極管中流過的電流。 反向...反向電流IR：在被測(cè)管兩端加規(guī)定反向工作電壓VR時(shí)，二極管中流過的電流。 反向擊穿電壓VBR：被測(cè)管通過的反向電流IR為規(guī)定值時(shí)，在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。
KND3203B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A；采用CRM（CQ）先進(jìn)的溝槽MOS...KND3203B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A；采用CRM（CQ）先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.1mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗；優(yōu)秀的Qg...
混合集成電路是一種將不同技術(shù)制造的電子元件(如半導(dǎo)體器件、陶瓷器件、電阻、...混合集成電路是一種將不同技術(shù)制造的電子元件(如半導(dǎo)體器件、陶瓷器件、電阻、電容等)集成在同一基板上,通過金屬線或焊接連接這些元件以實(shí)現(xiàn)功能電路。 混合集成...
當(dāng)MOSFET從截止區(qū)經(jīng)過放大區(qū)轉(zhuǎn)到可變電阻區(qū)時(shí)，對(duì)應(yīng)其開通過程（反之為關(guān)斷過程...當(dāng)MOSFET從截止區(qū)經(jīng)過放大區(qū)轉(zhuǎn)到可變電阻區(qū)時(shí)，對(duì)應(yīng)其開通過程（反之為關(guān)斷過程）。在放大區(qū)內(nèi)，由于米勒效應(yīng)，隨著Vds下降，CGD電容顯著增大。因此，給CGD電容充...
