KIA50N06D場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 18mΩ，...KIA50N06D場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 18mΩ，開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻低，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；具有超低柵極電荷（典...
判斷一個(gè)放大電路是電壓負(fù)反饋和電流負(fù)反饋時(shí)，可以看一下，若反饋信號(hào)是直接從...判斷一個(gè)放大電路是電壓負(fù)反饋和電流負(fù)反饋時(shí)，可以看一下，若反饋信號(hào)是直接從放大電路輸出端引出的，則為電壓反饋；若反饋信號(hào)是從負(fù)載電阻靠近地端的一側(cè)引出的...
電路中，VD1是穩(wěn)壓二極管；Ui是沒(méi)有經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓的直流電壓，在這一電路中是輸入電...電路中，VD1是穩(wěn)壓二極管；Ui是沒(méi)有經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓的直流電壓，在這一電路中是輸入電壓；Uo是經(jīng)過(guò)這一電路穩(wěn)定后的直流輸出電壓，其電壓大小穩(wěn)定。
50n06場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，采用KIA半導(dǎo)體LVMosfet技術(shù)制造，...50n06場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，采用KIA半導(dǎo)體LVMosfet技術(shù)制造，低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 11mΩ，通過(guò)優(yōu)化工藝和單元結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，有效降低導(dǎo)通狀態(tài)電阻，...
MOS開(kāi)通時(shí)，芯片輸出高電平，三極管Q2處于截止?fàn)顟B(tài)，高電平通過(guò)二極管D1驅(qū)動(dòng)MO...MOS開(kāi)通時(shí)，芯片輸出高電平，三極管Q2處于截止?fàn)顟B(tài)，高電平通過(guò)二極管D1驅(qū)動(dòng)MOS管導(dǎo)通；芯片輸出低電平時(shí)，二極管D1截止，三極管Q2導(dǎo)通，MOSFET極間寄生電容得以通...
SOP-8（Small Outline Package-8）是一種表面貼裝型封裝，采用鷗翼形（L形）引...SOP-8（Small Outline Package-8）是一種表面貼裝型封裝，采用鷗翼形（L形）引腳設(shè)計(jì)，兩排各4個(gè)引腳共8個(gè)，適合自動(dòng)化焊接。塑料材質(zhì)封裝，底部無(wú)散熱片（帶“EP...
<ul id="ou8ay"></ul>