KIA5N50SY場效應(yīng)管漏源擊穿電壓高達(dá)500V，漏極電流5A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1....KIA5N50SY場效應(yīng)管漏源擊穿電壓高達(dá)500V，漏極電流5A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.35Ω，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗?；堅(jiān)固的高壓端接、指定雪崩能量、源極到...
導(dǎo)體的電阻R跟它的長度L、電阻率ρ成正比，跟它的橫截面積S成反比，這個(gè)規(guī)律就...導(dǎo)體的電阻R跟它的長度L、電阻率ρ成正比，跟它的橫截面積S成反比，這個(gè)規(guī)律就叫電阻定律(law of resistance)，公式為R=ρL/S 。其中ρ為制成電阻的材料的電阻率，...
添加反向并聯(lián)二極管：在MOS管的源極和漏極之間，加入一個(gè)反向并聯(lián)二極管，可以...添加反向并聯(lián)二極管：在MOS管的源極和漏極之間，加入一個(gè)反向并聯(lián)二極管，可以巧妙地抑制二極管反向電壓。當(dāng)漏極電壓為負(fù)值時(shí)，這個(gè)二極管會(huì)導(dǎo)通，從而將漏極電壓...
電機(jī)控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，...電機(jī)控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力；極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.4mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電...
歐姆定律：R=U/I 電阻（R）等于電壓（U）除以電流（I），這是電工學(xué)的基石。 ...歐姆定律：R=U/I 電阻（R）等于電壓（U）除以電流（I），這是電工學(xué)的基石。 電功率公式 電流在單位時(shí)間內(nèi)做的功叫做電功率。是用來表示消耗電能的快慢的物理量...
尺寸和空間占用：SOP封裝比DIP封裝更小，占用的空間更少，更適合現(xiàn)代電子設(shè)備的...尺寸和空間占用：SOP封裝比DIP封裝更小，占用的空間更少，更適合現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化趨勢(shì)。 引腳數(shù)量和排列：SOP封裝可以容納更多的引腳，并且引腳排列更緊湊，...
