50n06d,?50n06場效應管參數引腳圖,KIA50N06D-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-10-21
KIA50N06D場效應管漏源擊穿電壓60V,漏極電流50A,低導通電阻RDS(開啟) 18mΩ,開關速度快,導通電阻低,最大限度地減少導電損耗,提高效率;具有超低柵極電荷(典型30nC)、低反向傳輸電容、快速開關能力以及指定100%雪崩能量、改進的dv/dt能力,在運行中高效穩定可靠;廣泛應用于電子鎮流器、低功率開關等;封裝形式:TO-252,散熱出色。
漏源電壓:60V
漏極電流:50A
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:200A
單脈沖雪崩能量:480MJ
功率耗散:130W
閾值電壓:2-4V
總柵極電荷:30nC
輸入電容:900PF
輸出電容:430PF
反向傳輸電容:80PF
開通延遲時間:40nS
關斷延遲時間:90nS
上升時間:100ns
下降時間:80ns
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