KIA6035AD場效應管漏源擊穿電壓350V，漏極電流11A；采用先進的平面條紋DMOS技術...KIA6035AD場效應管漏源擊穿電壓350V，漏極電流11A；采用先進的平面條紋DMOS技術，最大限度地減少導通電阻，導通電阻RDS(開啟) 0.38Ω，降低功耗、提升效率；在雪崩...
場效應管是一種電壓控制型器件，通過柵源電壓（VGS）來控制漏極電流（ID），具...場效應管是一種電壓控制型器件，通過柵源電壓（VGS）來控制漏極電流（ID），具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、快速開關速度和大電壓/電流能力等特點。
低通濾波電路可使低頻信號較少損失地傳輸到輸出端，使高頻信號得到有效抑制。低...低通濾波電路可使低頻信號較少損失地傳輸到輸出端，使高頻信號得到有效抑制。低通濾波(Low-pass filter) 是一種過濾方式，規則為低頻信號能正常通過，而超過設定臨...
KIA5N50SY場效應管漏源擊穿電壓高達500V，漏極電流5A，低導通電阻RDS(開啟) 1....KIA5N50SY場效應管漏源擊穿電壓高達500V，漏極電流5A，低導通電阻RDS(開啟) 1.35Ω，最大限度地減少導電損耗，高效低耗?；堅固的高壓端接、指定雪崩能量、源極到...
導體的電阻R跟它的長度L、電阻率ρ成正比，跟它的橫截面積S成反比，這個規律就...導體的電阻R跟它的長度L、電阻率ρ成正比，跟它的橫截面積S成反比，這個規律就叫電阻定律(law of resistance)，公式為R=ρL/S 。其中ρ為制成電阻的材料的電阻率，...
添加反向并聯二極管：在MOS管的源極和漏極之間，加入一個反向并聯二極管，可以...添加反向并聯二極管：在MOS管的源極和漏極之間，加入一個反向并聯二極管，可以巧妙地抑制二極管反向電壓。當漏極電壓為負值時，這個二極管會導通，從而將漏極電壓...
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