KNF6180B漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專有高壓平面VDMOS技術(shù)生產(chǎn)，改進...KNF6180B漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專有高壓平面VDMOS技術(shù)生產(chǎn)，改進的工藝和單元結(jié)構(gòu)經(jīng)過特別定制，極低導通電阻RDS(開啟) 0.87Ω，可最大限度地降低導...
從功率的公式P=UI可以看出，當電壓不變時，功率與電流成正比；當電流不變時，功...從功率的公式P=UI可以看出，當電壓不變時，功率與電流成正比；當電流不變時，功率與電壓成正比。說明如果電壓增加，而電流保持不變，那么功率也會增加。
電源效率等級是根據(jù)電源在不同負載情況下的轉(zhuǎn)換效率來劃分的，轉(zhuǎn)換效率越高，等...電源效率等級是根據(jù)電源在不同負載情況下的轉(zhuǎn)換效率來劃分的，轉(zhuǎn)換效率越高，等級越高，成本也越高。? 電源的轉(zhuǎn)換效率分為鈦金、白金、金牌、銀牌、銅牌以及白牌...
KIA4603AE場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A，采用先進的高密度溝槽加工技術(shù)...KIA4603AE場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A，采用先進的高密度溝槽加工技術(shù)，實現(xiàn)極低的導通電阻RDS(開啟) 14.5mΩ，最大限度地減少導通損耗，高效低耗；低柵...
當用手觸及電極“1”時，人體的感應(yīng)信號經(jīng)過V3放大后，使V1導通，V1集電極為低...當用手觸及電極“1”時，人體的感應(yīng)信號經(jīng)過V3放大后，使V1導通，V1集電極為低電平，V4的基極也為低電平，故V4截止，其集電極為高電平，V5的基極也為高電平，故V5...
MOS管Q2，用于將按鍵電平VIN，轉(zhuǎn)換為單片機的電壓軌3.3V，防止VIN燒毀單片機的...MOS管Q2，用于將按鍵電平VIN，轉(zhuǎn)換為單片機的電壓軌3.3V，防止VIN燒毀單片機的I/O。單片機讀取KEY_ON引腳的電平，就可以得到按鍵狀態(tài)。Q2可以用三極管代替，但三極...
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