電機驅動mos,800vmos,?10a800v,KNF6180B場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-03-07
KNF6180B漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專有高壓平面VDMOS技術生產，改進的工藝和單元結構經過特別定制，極低導通電阻RDS(開啟) 0.87Ω，可最大限度地降低導通電阻，高效低耗；低柵極電荷、低反向傳輸電容、改進的dv/dt能力，實現快速切換；在雪崩和換向模式下承受高能脈沖，穩定可靠；廣泛應用于AC-DC電源、DC-DC轉換器和H橋PWM電機驅動器等；封裝形式：TO-220F。
漏源電壓：800V
漏極電流：10A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：40A
單脈沖雪崩能量：983MJ
功率耗散：62W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：32nC
輸入電容：1625PF
輸出電容：152PF
反向傳輸電容：6.4PF
開通延遲時間：28nS
關斷延遲時間：90nS
上升時間：42ns
下降時間：75ns
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