MOS管反向擊穿電壓,二極管反向電壓抑制-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-02-26
MOS管在反向工作狀態(tài)下源極與漏極之間的電壓達到一定的閾值時,MOS管將無法承受,會發(fā)生擊穿現(xiàn)象。
齊納擊穿：
當PN結(jié)反向偏置時，電場導(dǎo)致耗盡層內(nèi)的電子從價帶隧穿到導(dǎo)帶，導(dǎo)致反向電流突然增加。齊納擊穿通常發(fā)生在摻雜濃度較高的二極管中，擊穿電壓約為6V以下。
雪崩擊穿：
當反向電壓過大時，電子在耗盡層中被電場加速，與晶格原子碰撞產(chǎn)生更多的電子-空穴對，導(dǎo)致電流急劇增加。雪崩擊穿通常發(fā)生在摻雜濃度較低的二極管中，擊穿電壓大于6V。
影響MOS管反向擊穿電壓的因素包括材料特性、結(jié)構(gòu)設(shè)計和溫度。材料的摻雜濃度和禁帶寬度會影響擊穿電壓，摻雜濃度越高，擊穿電壓越低；溫度升高會導(dǎo)致禁帶寬度減小，從而增加齊納擊穿的可能性。
選擇合適的MOS管：在挑選MOS管時，別忘了查看其反向漏電流和反向擊穿電壓。反向漏電流越小，反向擊穿電壓越高，那么二極管反向電壓就越小。選擇時，務(wù)必關(guān)注這兩個關(guān)鍵參數(shù)。
添加反向并聯(lián)二極管：在MOS管的源極和漏極之間，加入一個反向并聯(lián)二極管，可以巧妙地抑制二極管反向電壓。當漏極電壓為負值時，這個二極管會導(dǎo)通，從而將漏極電壓限制在反向擊穿電壓以下，保護MOS管免受損害。
使用反向并聯(lián)二極管芯片：為了簡化操作，許多廠家推出了專門用于抑制MOS管二極管反向電壓的芯片。這些芯片內(nèi)部集成了反向并聯(lián)二極管，可以直接連接到MOS管的源極和漏極之間，方便快捷。
利用反向并聯(lián)二極管模塊：除了芯片，還有模塊化的反向并聯(lián)二極管。這些模塊內(nèi)部集成了多個反向并聯(lián)二極管，可以同時連接多個MOS管，起到抑制二極管反向電壓的作用。它們通常具有較高的反向擊穿電壓和較小的反向漏電流，是保護MOS管的得力助手。
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