由于主電路與微控制器STM32功率相差過大，MOS管和控制器之間必須隔離，因此每個(gè)...由于主電路與微控制器STM32功率相差過大，MOS管和控制器之間必須隔離，因此每個(gè)MOS管都采用獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)電路。
下圖對(duì)于散熱器熱阻計(jì)算非常重要。最上方是散熱器，中間是導(dǎo)熱物質(zhì)，比如導(dǎo)熱硅...下圖對(duì)于散熱器熱阻計(jì)算非常重要。最上方是散熱器，中間是導(dǎo)熱物質(zhì)，比如導(dǎo)熱硅脂，導(dǎo)熱物質(zhì)是為了讓熱量更高效的從功率MOSFET傳導(dǎo)到散熱器，從而最大效率的給功率...
通常情況下，一般把負(fù)載帶電感參數(shù)的負(fù)載，即符合和電源相比負(fù)載電流滯后負(fù)載電...通常情況下，一般把負(fù)載帶電感參數(shù)的負(fù)載，即符合和電源相比負(fù)載電流滯后負(fù)載電壓一個(gè)相位差的特性的負(fù)載為感性(如負(fù)載為電動(dòng)機(jī);變壓器;)。
上圖中，分別是NPN和PNP三極管驅(qū)動(dòng)繼電器的電路原理圖，這兩個(gè)電路中都把繼電器...上圖中，分別是NPN和PNP三極管驅(qū)動(dòng)繼電器的電路原理圖，這兩個(gè)電路中都把繼電器接在了集電極上。因?yàn)槿龢O管驅(qū)動(dòng)繼電器時(shí)需要工作在截止和飽和狀態(tài)，如果把繼電器接...
正常輸入無過壓：穩(wěn)壓二極管D3截止，使得VCC_BAT通過R4/R6到達(dá)Q2PNP管的基極，...正常輸入無過壓：穩(wěn)壓二極管D3截止，使得VCC_BAT通過R4/R6到達(dá)Q2PNP管的基極，而Q2的射極也是VCC_BAT，因此Q2的Vbe=0,Q2截止。
MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds低和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單的特點(diǎn)，利用其米勒效應(yīng)，在電路設(shè)計(jì)中可以設(shè)計(jì)...MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds低和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單的特點(diǎn)，利用其米勒效應(yīng)，在電路設(shè)計(jì)中可以設(shè)計(jì)電源緩啟動(dòng)電路（通常情況下，在正電源中用PMOS，在負(fù)電源中使用NMOS），可以實(shí)現(xiàn)防...
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