NMOS管內部結構圖如下，導電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結，在Ugs...NMOS管內部結構圖如下，導電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結，在Ugs=0時，漏極和源極之間無電流（PN結擊穿情況等不考慮）。
柵極輸入電壓VGS被帶到適當的正電壓電平以打開器件，因此燈負載要么“打開”，...柵極輸入電壓VGS被帶到適當的正電壓電平以打開器件，因此燈負載要么“打開”，（V GS = +ve），要么處于將器件“關閉”的零電壓電平，（V GS = 0V）。
對于像mos管這樣的半導體器件，要充當理想的開關，它必須具有以下特性：在 ON ...對于像mos管這樣的半導體器件，要充當理想的開關，它必須具有以下特性：在 ON 狀態下，它可以承載的電流量不應有任何限制。
MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內的封裝密度。這導致...MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內的封裝密度。這導致氧化層厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，泄漏電流...
在MOS源極和漏極接交流地時，器件的小信號電流增益降至1的頻率稱為：“transit...在MOS源極和漏極接交流地時，器件的小信號電流增益降至1的頻率稱為：“transit frequency”(fT)截止頻率
當通過輸出MOSFET的寄生二極管進行電流再生時，其功耗應該是寄生二極管的正向電...當通過輸出MOSFET的寄生二極管進行電流再生時，其功耗應該是寄生二極管的正向電壓×電機電流。然而實際上，有時功耗可能會大于這個計算值。
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