對(duì)于一個(gè)普通的電路，我們?nèi)绾蝸?lái)進(jìn)行噪聲的分析呢？通常我們會(huì)不由自主的想到，...對(duì)于一個(gè)普通的電路，我們?nèi)绾蝸?lái)進(jìn)行噪聲的分析呢？通常我們會(huì)不由自主的想到，通過(guò)之前推導(dǎo)出的噪聲公式，計(jì)算出各個(gè)噪聲在輸出點(diǎn)的和，就能夠表示噪聲的大小了。...
例如，電源電壓中的紋波或自激振蕩，可對(duì)電路造成不良影響，使音響裝置發(fā)出交流...例如，電源電壓中的紋波或自激振蕩，可對(duì)電路造成不良影響，使音響裝置發(fā)出交流聲或?qū)е码娐氛`動(dòng)作，但有時(shí)也許并不導(dǎo)致上述后果。對(duì)于這種紋波或振蕩，都應(yīng)稱為電...
KNX2908A 85V130A-產(chǎn)品特性 1、專有新溝槽技術(shù) 2、RDS(ON)，Typ.=5.0mΩ@VGS...KNX2908A 85V130A-產(chǎn)品特性 1、專有新溝槽技術(shù) 2、RDS(ON)，Typ.=5.0mΩ@VGS=10V 3、低門(mén)電荷減小開(kāi)關(guān)損耗 4、快速恢復(fù)體二極管
MOS管門(mén)電路：用mos管搭出一個(gè)二輸入與非門(mén)MOS管門(mén)電路：用mos管搭出一個(gè)二輸入與非門(mén)
P溝道MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況...P溝道MOS管的空穴遷移率低，因而在MOS管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS管。此外，P溝道MOS管閾值電壓的絕對(duì)值普通偏高，有較...
SiC 功率電子器件的主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率高、導(dǎo)通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更...SiC 功率電子器件的主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率高、導(dǎo)通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更簡(jiǎn)單。與硅基轉(zhuǎn)換器相比，由于 SiC 功率系統(tǒng)具有這些優(yōu)勢(shì)，因此能夠在要求高功率密...
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