結(jié)溫是處于電子設(shè)備中實(shí)際半導(dǎo)體芯片（晶圓、裸片）的最高溫度。它通常高于外殼...結(jié)溫是處于電子設(shè)備中實(shí)際半導(dǎo)體芯片（晶圓、裸片）的最高溫度。它通常高于外殼溫度和器件表面溫度。結(jié)溫可以衡量從半導(dǎo)體晶圓到封裝器件外殼間的散熱所需時(shí)間以及...
芯片溫度是指晶體管芯片本身的溫度Tj（結(jié)溫）。芯片溫度Tj是周圍（環(huán)境）溫度T...芯片溫度是指晶體管芯片本身的溫度Tj（結(jié)溫）。芯片溫度Tj是周圍（環(huán)境）溫度Ta與芯片發(fā)熱量相加后的溫度，是考慮額定值和壽命時(shí)最重要的因素之一。
TJ：芯片結(jié)溫（Die junction temperature, °C） TC：芯片封裝表面溫度（Pack...TJ：芯片結(jié)溫（Die junction temperature, °C） TC：芯片封裝表面溫度（Package case temperature, °C） TB：放置芯片的PCB板溫度（Board temperature adjace...
開關(guān)電源關(guān)鍵元件的各個(gè)參數(shù)中英文對照表開關(guān)電源關(guān)鍵元件的各個(gè)參數(shù)中英文對照表
一種方法直接看工藝庫參數(shù)，但是現(xiàn)在的工藝庫是基于BSIM，參數(shù)超級多，有考慮到...一種方法直接看工藝庫參數(shù)，但是現(xiàn)在的工藝庫是基于BSIM，參數(shù)超級多，有考慮到很多二級效應(yīng)。如果直接用工藝庫的參數(shù)vth0，UnCox來計(jì)算的話，會發(fā)現(xiàn)計(jì)算的值和仿...
1.作為泄放電阻泄放掉G-S的少量靜電，防止mos管產(chǎn)生誤動作，甚至擊穿mos管（因...1.作為泄放電阻泄放掉G-S的少量靜電，防止mos管產(chǎn)生誤動作，甚至擊穿mos管（因?yàn)橹灰猩倭康撵o電便會使mos管的G-S極間的等效電容產(chǎn)生很高的電壓），起到了保護(hù)mo...
