電路分享：NMOS電源方案-背靠背MOS驅動-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-06-12
NMOS電源方案推薦方案如下：
背靠背MOS驅動，S極背靠背，可以看到它是外置MOS，可以根據需求選擇MOS，提高系統的帶載能力。
通過內部框圖可以看出它是boost升壓驅動提高Gate電壓。并且Gate與Source之前鉗位18V。
這里第一個MOS做開關，第二個MOS做防反。用來過拋負載試驗的TVS管應該只能放在開關管前面，并且只能選擇雙向TVS才行，不然沒有防反功能。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
