KNB2803S場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.0m...KNB2803S場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改進...
絕緣層薄，承受高電壓的能力差。 高輸入阻抗使其對電壓變化敏感。 靜電放電會...絕緣層薄，承受高電壓的能力差。 高輸入阻抗使其對電壓變化敏感。 靜電放電會在短時間內施加過高的電壓，導致絕緣層擊穿。
反向電流IR：在被測管兩端加規定反向工作電壓VR時，二極管中流過的電流。 反向...反向電流IR：在被測管兩端加規定反向工作電壓VR時，二極管中流過的電流。 反向擊穿電壓VBR：被測管通過的反向電流IR為規定值時，在兩極間所產生的電壓降。
KND3203B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A；采用CRM（CQ）先進的溝槽MOS...KND3203B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A；采用CRM（CQ）先進的溝槽MOS技術，極低導通電阻RDS(開啟) 3.1mΩ，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；優秀的Qg...
混合集成電路是一種將不同技術制造的電子元件(如半導體器件、陶瓷器件、電阻、...混合集成電路是一種將不同技術制造的電子元件(如半導體器件、陶瓷器件、電阻、電容等)集成在同一基板上,通過金屬線或焊接連接這些元件以實現功能電路。 混合集成...
當MOSFET從截止區經過放大區轉到可變電阻區時，對應其開通過程（反之為關斷過程...當MOSFET從截止區經過放大區轉到可變電阻區時，對應其開通過程（反之為關斷過程）。在放大區內，由于米勒效應，隨著Vds下降，CGD電容顯著增大。因此，給CGD電容充...
