KNH2908B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，低RDS（...KNH2908B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，低RDS（ON）的高密度電池設(shè)計(jì)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；低...
當(dāng)PMOS工作時(shí)，電流從S極（源極）流向D極（漏極），由于PMOS以空穴為主要載流子...當(dāng)PMOS工作時(shí)，電流從S極（源極）流向D極（漏極），由于PMOS以空穴為主要載流子，電流的實(shí)際方向與電子流動(dòng)方向相反。漏極通常接較低的電位（例如接地或負(fù)電源），...
PFC電路是對(duì)輸入電流的波形進(jìn)行控制，使其與輸入電壓波形同步，提高功率因數(shù)，...PFC電路是對(duì)輸入電流的波形進(jìn)行控制，使其與輸入電壓波形同步，提高功率因數(shù)，減少諧波含量，是能夠解決因容性負(fù)載導(dǎo)致電流波形嚴(yán)重畸變而產(chǎn)生的電磁干擾(EMl)和電...
KND3404C場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A；采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)...KND3404C場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A；采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；具有出色的RDSON和柵...
當(dāng)柵-源電壓VGS=O時(shí)，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏-源...當(dāng)柵-源電壓VGS=O時(shí)，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏-源極間沒(méi)有導(dǎo)電溝道（沒(méi)有電流流過(guò)），所以這時(shí)漏極電流ID=0。
?電流的磁效應(yīng)?：只需要導(dǎo)線中有電流通過(guò)，就會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)。磁場(chǎng)的方向與電流的...?電流的磁效應(yīng)?：只需要導(dǎo)線中有電流通過(guò)，就會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)。磁場(chǎng)的方向與電流的方向有關(guān)，可以通過(guò)安培定則（右手螺旋定則）來(lái)判斷。 ?電磁感應(yīng)?：產(chǎn)生電磁感應(yīng)...
