KNY2803A場效應(yīng)管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽加工技術(shù)，實現(xiàn)極...KNY2803A場效應(yīng)管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽加工技術(shù)，實現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗；低柵極電荷、改進(jìn)的dv/dt能...
當(dāng)IO是高電平時，三極管Q1導(dǎo)通，GNDQ信號傳遞到MOS管Q3的G極，此時Vgs=-20V，M...當(dāng)IO是高電平時，三極管Q1導(dǎo)通，GNDQ信號傳遞到MOS管Q3的G極，此時Vgs=-20V，MOS管導(dǎo)通。 當(dāng)IO是低電平時，三極管Q1關(guān)閉，20V信號傳遞到MOS管QQ3的G極，此時Vgs=...
對于NPN來說，使Ube
控制板mos管KNF6180A漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專用新型技術(shù)生產(chǎn)，極...控制板mos管KNF6180A漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專用新型技術(shù)生產(chǎn)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.0Ω，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能；快速...
熱阻的符號為Rth和θ。 單位是℃/W（K/W）。 熱阻是一個物理量，用于描述在有...熱阻的符號為Rth和θ。 單位是℃/W（K/W）。 熱阻是一個物理量，用于描述在有溫度差的情況下，物體抵抗傳熱能力的強(qiáng)弱。熱導(dǎo)率越好的物體，其熱阻通常越低。
SOD-123封裝尺寸與1206封裝尺寸是對應(yīng)的。1206封裝尺寸為1.2mm×1.6mm，對應(yīng)二...SOD-123封裝尺寸與1206封裝尺寸是對應(yīng)的。1206封裝尺寸為1.2mm×1.6mm，對應(yīng)二極管SOD-123封裝。 sod323長度比sod123短1.0毫米，寬度短0.3毫米，高度短0.1毫米。...
