逆變器專(zhuān)用mos管KCD3406A漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，采用先進(jìn)的LVMOS工藝...逆變器專(zhuān)用mos管KCD3406A漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，采用先進(jìn)的LVMOS工藝技術(shù)生產(chǎn)，SGT MOSFET通過(guò)結(jié)構(gòu)改進(jìn)提升性能，在降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗方面表現(xiàn)出色...
LED電平指示器帶有可調(diào)增益放大級(jí)，既可以接在音頻功放電路的輸出端，作為功放...LED電平指示器帶有可調(diào)增益放大級(jí)，既可以接在音頻功放電路的輸出端，作為功放輸出電平指示，也可以接在音頻前置放大電路輸出端（音量控制電路之前），作為前置級(jí)...
MOS管防倒灌電路的設(shè)計(jì)原理是利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性，當(dāng)電源正常連接時(shí)，MOS管處...MOS管防倒灌電路的設(shè)計(jì)原理是利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性，當(dāng)電源正常連接時(shí)，MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)；當(dāng)電源斷開(kāi)或有電流倒灌風(fēng)險(xiǎn)時(shí)，MOS管迅速關(guān)斷，阻止電流逆向流動(dòng)。
bms mos管KNY3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，極低導(dǎo)...bms mos管KNY3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 5.2mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提升效率；具有開(kāi)關(guān)速度快，內(nèi)阻...
當(dāng)VUSB有電，PMOS管截止，即便有體二極管電流流過(guò)，但是因?yàn)閂USB會(huì)比Vbat電壓高...當(dāng)VUSB有電，PMOS管截止，即便有體二極管電流流過(guò)，但是因?yàn)閂USB會(huì)比Vbat電壓高，PMOS的Vgsl
共模電感：是指當(dāng)交流電通過(guò)電路時(shí)，同時(shí)抑制電路中電流流向地線(xiàn)的電感。它主要...共模電感：是指當(dāng)交流電通過(guò)電路時(shí)，同時(shí)抑制電路中電流流向地線(xiàn)的電感。它主要用于濾除共模干擾，即在線(xiàn)路與地線(xiàn)之間產(chǎn)生的干擾電流。 差模電感：是指當(dāng)交流電通...
