碳化硅mos管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是第三代半導體材料電力電子器件...碳化硅mos管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是第三代半導體材料電力電子器件，三個腳分別為柵極（G），漏極（D）和源極（S）。碳化硅MOS為電壓型控制器件，具有...
儲能逆變器是一種將直流電轉化為交流電，并能夠將電能儲存于電池中的設備。儲能...儲能逆變器是一種將直流電轉化為交流電，并能夠將電能儲存于電池中的設備。儲能逆變器在應對電網電力波動和提高電力系統供電質量方面具有非常重要的作用。它可以控...
KCB2908A場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進的SGT技術設計，極低...KCB2908A場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進的SGT技術設計，極低導通電阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的柵極電荷，可最大限度地減少導電損失，減少開關損耗...
當S1A為低電平的時候，MOS管Q3導通，S1A與S2A導通，S2A端被拉低到0V，實現兩端...當S1A為低電平的時候，MOS管Q3導通，S1A與S2A導通，S2A端被拉低到0V，實現兩端都為低電平。 當S1A為高電平的時候，MOS管Q3關斷，S2A端由上拉電阻（上圖中的 R28）...
結型場效應管（JFET）、絕緣柵型場效應管（MOSFET），結型場效應管分為N溝道和...結型場效應管（JFET）、絕緣柵型場效應管（MOSFET），結型場效應管分為N溝道和P溝道；絕緣柵型分為增強型和耗盡型（N溝道和P溝道）。 JFET和MOSTFET之間的主要區...
FET（場效應晶體管）主要分為結型場效應管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應管...FET（場效應晶體管）主要分為結型場效應管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）和金屬-半導體場效應管（MESFET）、調制摻雜場效應管（MODFET）等。
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