當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態(tài)；當MOSFET開通后，Vds開始下...當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態(tài)；當MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，Vgs會持續(xù)一段時間不再上升...
場效應(yīng)管有三種組態(tài)放大電路，分別是共源放大電路、共漏放大電路和共柵放大電路...場效應(yīng)管有三種組態(tài)放大電路，分別是共源放大電路、共漏放大電路和共柵放大電路。 （1）共源放大器 如圖所示，它相當于晶體三極管中的共發(fā)射極放大器，是一種常...
KPE4703A場效應(yīng)管漏源電壓-30V，漏極電流-8A，導通電阻RDS(on)僅為19mΩ，出色...KPE4703A場效應(yīng)管漏源電壓-30V，漏極電流-8A，導通電阻RDS(on)僅為19mΩ，出色的RDS(ON)和低柵極電荷，有效降低電路中的開關(guān)損耗，提高整體效率；KPE4703A采用先進...
雙極結(jié)型晶體管，外部引出三個極：集電極，發(fā)射極和基極，集電極從集電區(qū)引出，...雙極結(jié)型晶體管，外部引出三個極：集電極，發(fā)射極和基極，集電極從集電區(qū)引出，發(fā)射極從發(fā)射區(qū)引出，基極從基區(qū)引出（基區(qū)在中間）；BJT有放大作用，主要依靠它的...
由MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出，其襯底B與漏極D整好構(gòu)成一個PN結(jié)，這個PN是由于MOS結(jié)構(gòu)...由MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出，其襯底B與漏極D整好構(gòu)成一個PN結(jié)，這個PN是由于MOS結(jié)構(gòu)天然而成的，如果將MOS管的各個端進行特殊的連接，就可以得到等效的二極管。
KNF4890A場效應(yīng)管采用專有新型平面技術(shù)，漏源電壓900V，漏極電流9.0A，低導通電...KNF4890A場效應(yīng)管采用專有新型平面技術(shù)，漏源電壓900V，漏極電流9.0A，低導通電阻RDS（ON）=1.2Ω，低柵極電荷，能夠最大限度地減少導電損耗，最小化開關(guān)損耗；快...
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