pd電源mos管,9a900v場效應(yīng)管,KNF4890A參數(shù)中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-11-14
KNF4890A場效應(yīng)管采用專有新型平面技術(shù)，漏源電壓900V，漏極電流9.0A，低導(dǎo)通電阻RDS（ON）=1.2Ω，低柵極電荷，能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗；快速恢復(fù)體二極管，確保性能穩(wěn)定可靠，廣泛應(yīng)用于pc電源pd電源、適配器充電器、SMPS電源、LCD面板電源等領(lǐng)域；封裝形式：TO-220F。
漏源電壓：900V
漏極電流：9A
柵源電壓：±30V
雪崩能量單脈沖：580MJ
最大功耗：67W
總柵極電荷：48nC
輸入電容：2595PF
輸出電容：145PF
開通延遲時(shí)間：36nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：136nS
上升時(shí)間：42ns
下降時(shí)間：48ns
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