充電樁mosfet,1000v場效應(yīng)管,KNF45100A參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-05-29
KNF45100A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流6A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；低電荷最小化開關(guān)損耗，低反向傳輸電容，開關(guān)速度快，高效低耗；快速恢復(fù)體二極管、符合RoHS、高堅固性，穩(wěn)定可靠；適用于備用電源，充電樁、適配器等多種應(yīng)用；封裝形式：TO-220F，散熱良好，結(jié)構(gòu)堅固。
漏源電壓：1000V
漏極電流：6A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：24A
單脈沖雪崩能量：500MJ
總功耗：65W
閾值電壓：3-5V
總柵極電荷：35nC
輸入電容：1600PF
輸出電容：130PF
反向傳輸電容：20PF
開通延遲時間：22nS
關(guān)斷延遲時間：45nS
上升時間：45ns
下降時間：50ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
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