mmbt5401參數,引腳圖,mmbt5401資料手冊-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-06-04
MMBT5401高壓PNP雙極晶體管，該器件設計為通用放大器和開關，用于需要高電壓的應用。采用SOT-23封裝，專為低功耗表面貼裝應用而設計。
電壓特性
集電極-發射極電壓（VCEO）：150V
集電極-基極電壓（VCBO）：160V
發射極-基極電壓（VEBO）：5V
電流與功率
集電極電流（Ic）：500-600mA
功率耗散（Pc）：300-350mW
增益與頻率
直流電流增益（hFE）：50（最小值）至240（最大值）。
躍遷頻率（T）：100-300MHz。
封裝類型：SOT-23（3引腳）
尺寸：2.9×1.3×0.94mm（長×寬×高）。
工作溫度：-55℃至+150℃。
飽和壓降：集電極-發射極（VCE(sat)）≤0.5V
截止電流（ICBO）：≤0.1μA
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