4n65,4n65場效應(yīng)管參數(shù),??650v4a,KNF4N65F中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-17
KNF4N65F場效應(yīng)管漏源擊穿電壓650V，漏極電流4A，采用先進(jìn)平面工藝制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.4Ω，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低柵極電荷，開關(guān)速度快，降低開關(guān)損耗，提高效率；具有高輸入阻抗、低功耗、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，快速恢復(fù)體二極管，性能穩(wěn)定可靠；無鉛設(shè)備，綠色環(huán)保；廣泛應(yīng)用于適配器、充電器、SMPS待機電源等；封裝形式：TO-220F，散熱良好。
詳細(xì)參數(shù)：
漏源電壓：650V
漏極電流：4A
導(dǎo)通電阻：2.4Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：16A
單脈沖雪崩能量：70MJ
功率耗散：24W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：10nC
輸入電容：560PF
輸出電容：2.8PF
反向傳輸電容：40PF
開通延遲時間：14nS
關(guān)斷延遲時間：20nS
上升時間：15ns
下降時間：7ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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