KCX2920K場效應(yīng)管是一款具有SGT MOSFET技術(shù)的優(yōu)質(zhì)器件，采用新型溝槽技術(shù)，漏源...KCX2920K場效應(yīng)管是一款具有SGT MOSFET技術(shù)的優(yōu)質(zhì)器件，采用新型溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A，表現(xiàn)出色；RDS（ON）為9.8mΩ（典型值）@VGS=10V，在...
KNG3303C場效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，具有極...KNG3303C場效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，具有極低的導(dǎo)通電阻，RDS(ON)僅為2.6mΩ(typ.)@VGS=10V；在PWM應(yīng)用和負(fù)載開關(guān)中表現(xiàn)出色，...
KIA7P03A功率場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)，擁有優(yōu)異的性能表現(xiàn)，電流能力...KIA7P03A功率場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)，擁有優(yōu)異的性能表現(xiàn)，電流能力為-7.5A，電壓為-30V，典型的導(dǎo)通電阻RDS（ON）為18mΩ，在柵源電壓為10V時；7P03場...
9435場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，RDS（開）=50mΩ（典型值）@VG...9435場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，RDS（開）=50mΩ（典型值）@VGS=-10V，超低柵極電荷，出色的Cdv/dt效應(yīng)下降提升整體性能。9435mos管封裝形式：SOP...
KIA4953場效應(yīng)管具有出色性能，漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，表現(xiàn)出優(yōu)異的...KIA4953場效應(yīng)管具有出色性能，漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，表現(xiàn)出優(yōu)異的電氣特性；當(dāng)Vgs為-10V時，其RDS(on)為54mΩ，而當(dāng)Vgs為-4.5V時，其RDS(on)為84mΩ...
7306場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓60V，漏極電流22A，R...7306場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓60V，漏極電流22A，RDS（ON）= 5.5mΩ（典型值）@VGS =10V，表現(xiàn)出卓越的導(dǎo)通能力，超低柵極電荷，在工作...
