KIA6706A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流18A，額定RDSON為7.5mΩ（在VGS=10...KIA6706A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流18A，額定RDSON為7.5mΩ（在VGS=10V時），表現(xiàn)穩(wěn)定可靠，具有超低的門電荷，在工作時能夠更加高效，還具有Cdv/dt效應下...
KIA4706A場效應管采用先進的高單元密度溝槽技術，性能出色，漏源擊穿電壓60V，...KIA4706A場效應管采用先進的高單元密度溝槽技術，性能出色，漏源擊穿電壓60V，漏極電流8A，具有RDS（開）僅為10mΩ（在VGS=10V時的典型值），在應用中表現(xiàn)出超低的...
9926mos管,9926場效應管參數(shù) 漏源電壓：20V 漏極電流：6A 漏源通態(tài)電阻(RDS...9926mos管,9926場效應管參數(shù) 漏源電壓：20V 漏極電流：6A 漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：0.030Ω 總功耗：2.0W
KIA3423采用先進的溝槽技術，漏源擊穿電壓-20V，漏極電流-2.0A，提供出色的RDS...KIA3423采用先進的溝槽技術，漏源擊穿電壓-20V，漏極電流-2.0A，提供出色的RDS（導通）、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，能夠減少功耗，提高效率。3423場效...
KIA3409采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS（導通）和低柵極電荷。3409場效應管...KIA3409采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS（導通）和低柵極電荷。3409場效應管適用于負載開關或PWM應用。標準產(chǎn)品KIA3409不含鉛（符合ROHS和Sony 259規(guī)范）。 V...
8205MOS管,8205場效應管參數(shù) 漏源電壓：20V 漏極電流：5.0A 柵源電壓：±12...8205MOS管,8205場效應管參數(shù) 漏源電壓：20V 漏極電流：5.0A 柵源電壓：±12V 脈沖漏電流：20A 總功耗：2W
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