4953場效應(yīng)管參數(shù),4953參數(shù)引腳圖,PmosKIA4953-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-20
KIA4953雙P溝道MOSFET是KIA先進(jìn)的P溝道工藝的一個(gè)堅(jiān)固的柵極版本，針對需要大范圍給定驅(qū)動(dòng)電壓的電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。額定值（4.5 V–20 V）。KIA4953場效應(yīng)管封裝形式：SOP-8。
KIA4953場效應(yīng)管具有出色性能，漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5.3A，表現(xiàn)出優(yōu)異的電氣特性；當(dāng)Vgs為-10V時(shí)，其RDS(on)為54mΩ，而當(dāng)Vgs為-4.5V時(shí)，其RDS(on)為84mΩ，顯示出在不同工作條件下的電阻特性。
4953場效應(yīng)管具有低壓充放電的特點(diǎn)，典型值為6Nc，在電路中實(shí)現(xiàn)更快的響應(yīng)速度，還具有高功率和電流的能力，能夠滿足對高性能的需求，適合在各種要求嚴(yán)格的場合使用，以及快速切換速度，能夠有效提高電路的響應(yīng)速度和效率，為電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用提供了可靠的保障。
漏源電壓：-30V
漏極電流：-5.3A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：54mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：-20A
總功耗：2W
總柵極電荷：6.0nC
輸入電容：525PF
輸出電容：130PF
開通延遲時(shí)間：7nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：14nS
上升時(shí)間：13ns
下降時(shí)間：9ns
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