MOS管KNX3206A產品特征 1、RDS（ON）=6.5mΩ（類型）@VGS=10V 2、低RDS（ON)...MOS管KNX3206A產品特征 1、RDS（ON）=6.5mΩ（類型）@VGS=10V 2、低RDS（ON)以減小導電損耗 3、低門電荷在快速開關中的應用 4、優化的BVDSS性能
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者...mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都...
MOS管60V80A KNX3406A產品特征 RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V 提供無鉛和綠色...MOS管60V80A KNX3406A產品特征 RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V 提供無鉛和綠色設備 低無線電數據系統開啟，以減少傳導損耗 高雪崩電流
KIA半導體的KNX3706A產品是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，它提供了優良的RDS(ON)...KIA半導體的KNX3706A產品是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，它提供了優良的RDS(ON)和大多數同步降壓變換器應用的柵極電荷。KNX3706A滿足RoHS和綠色產品的要求，100%EA...
KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數同步BUCK變換器...KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數同步BUCK變換器的應用提供了優良的Rdson和柵電荷。KIA30N06B滿足RoHS和綠色產品要求，100%的EAS保...
1、KIA2404A產品特征 RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V 超高密度電池設計...1、KIA2404A產品特征 RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V 超高密度電池設計 超低電阻 100%雪崩測試 無鉛和綠色設備可用（符合RoHS標準）
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