KNX3706A 60V50A? N溝道MOSFET，免費(fèi)送樣 技術(shù)支持-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-04-30
KIA半導(dǎo)體的KNX3706A產(chǎn)品是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，它提供了優(yōu)良的RDS(ON)和大多數(shù)同步降壓變換器應(yīng)用的柵極電荷。KNX3706A滿(mǎn)足RoHS和綠色產(chǎn)品的要求，100%EAS保證功能的可靠性得到認(rèn)可。
RDS(ON)，typ.=9mΩ@VGS=10V
氮?dú)獗Ｗo(hù)
超低柵極電荷
最佳Cdv/dt效應(yīng)衰減
高級(jí)高密度槽技術(shù)
電流：50A
電壓：60V
漏源極電壓：60V
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：100A
單脈沖雪崩能：72.2MJ
雪崩電流：38A
接頭和儲(chǔ)存溫度范圍：-55℃至150℃
總功耗：42W
漏源擊穿電壓:60V
輸入電容：3220pF
輸出電容：210pF
反向轉(zhuǎn)移電容：145pF
連續(xù)源電流:50A
脈沖源電流:100A
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KIA從研發(fā)設(shè)計(jì)到制造封裝，再到倉(cāng)儲(chǔ)和物流等擁有專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)，讓客戶(hù)從一個(gè)想法變成成品，讓客戶(hù)產(chǎn)品亮點(diǎn)無(wú)限擴(kuò)大的一體化服務(wù)。
KIA本著“攜手客戶(hù)，創(chuàng)新設(shè)計(jì)，共同提升，服務(wù)市場(chǎng)”的理念，期待在您的大力支持下，使KIA成為MOSFET器件領(lǐng)域的優(yōu)秀mos管品牌。
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