40V150A參數(shù)規(guī)格 KIA2804N產(chǎn)品特征 1、RDS（on）=3.0m@VGS=10V 2、超高密度電...40V150A參數(shù)規(guī)格 KIA2804N產(chǎn)品特征 1、RDS（on）=3.0m@VGS=10V 2、超高密度電池設(shè)計(jì) 3、超低導(dǎo)通電阻 4、快恢復(fù)體二極管 5、無(wú)鉛和綠色設(shè)備（符合RoHS）
30V85AMOS管 KNX3403A產(chǎn)品特征 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V 無(wú)鉛綠色設(shè)備 降低導(dǎo)...30V85AMOS管 KNX3403A產(chǎn)品特征 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V 無(wú)鉛綠色設(shè)備 降低導(dǎo)電損耗 高雪崩電流
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在...晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。晶圓...
場(chǎng)效應(yīng)管可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（簡(jiǎn)稱(chēng)JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管或MOSFET...場(chǎng)效應(yīng)管可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（簡(jiǎn)稱(chēng)JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管或MOSFET）兩種。每種又可分為N溝道和P溝道兩類(lèi)，N溝道和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作原理相同，只是工...
KIA2803A，AON6512兩個(gè)型號(hào)的具體參數(shù)、封裝、電路特征等。 （一）AON6512參數(shù)...KIA2803A，AON6512兩個(gè)型號(hào)的具體參數(shù)、封裝、電路特征等。 （一）AON6512參數(shù) 電流：150A 電壓：30V 漏源電壓：30V 柵源電壓：±20V 雪崩電流：70A 雪崩能...
這種功率MOSFET是使用KIA的先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)特別...這種功率MOSFET是使用KIA的先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合最小化狀態(tài)上的電阻,提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能,并在雪崩和換相模式下經(jīng)受高能量脈沖。...
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