全橋逆變器使用四個(gè)開關(guān)管，而半橋逆變器使用兩個(gè)開關(guān)管。和半橋相比，全橋的開...全橋逆變器使用四個(gè)開關(guān)管，而半橋逆變器使用兩個(gè)開關(guān)管。和半橋相比，全橋的開關(guān)管數(shù)量增加了一倍，但是在相同的開關(guān)電流下，全橋電路的輸出功率是半橋的兩倍。
如果沒有二極管，?當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，?電容的放電路徑會(huì)增加，?導(dǎo)致能量的不必...如果沒有二極管，?當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，?電容的放電路徑會(huì)增加，?導(dǎo)致能量的不必要損失，?降低電路效率。?二極管的加入有效地阻止了這種能量損失，?提高了電路的...
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值...nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。...
在CMOS器件工藝中，當(dāng)導(dǎo)電溝道長度降低到十幾納米，甚至幾納米量級(jí)時(shí)，晶體管出...在CMOS器件工藝中，當(dāng)導(dǎo)電溝道長度降低到十幾納米，甚至幾納米量級(jí)時(shí)，晶體管出現(xiàn)一些效應(yīng)。這些效應(yīng)主要包括閾值電壓Vth隨著溝道長度降低而降低，載流子表面散射...
當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接合在一起時(shí)，由于P型半導(dǎo)體中的空穴濃度較高，而N型半...當(dāng)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接合在一起時(shí)，由于P型半導(dǎo)體中的空穴濃度較高，而N型半導(dǎo)體中的電子濃度較高，因此會(huì)形成擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，并且P型半導(dǎo)體中的空穴將向其濃度較低...
對pn結(jié)施加的反向偏壓增大到某一數(shù)值VBR時(shí)，反向電流密度突然開始迅速增大的現(xiàn)...對pn結(jié)施加的反向偏壓增大到某一數(shù)值VBR時(shí)，反向電流密度突然開始迅速增大的現(xiàn)象稱為pn結(jié)擊穿。發(fā)生擊穿時(shí)的反向電壓稱為pn結(jié)的擊穿電壓。 PN結(jié)的擊穿主要分為三...
