半導體分立器件是由半導體材料制成的獨立電子元件，具有單一或特定功能，包括晶...半導體分立器件是由半導體材料制成的獨立電子元件，具有單一或特定功能，包括晶體二極管、三極管及場效應管、晶閘管等類別，其導電性能介于導體與絕緣體之間；主要...
按照芯片功能的不同： 分立器件可以分為二極管、三極管、IGBT、MOSFET、晶閘管...按照芯片功能的不同： 分立器件可以分為二極管、三極管、IGBT、MOSFET、晶閘管等。 按照功率、電流的不同： 分立器件可分為小信號器件和功率分立器件兩大類：小...
KNK74120A場效應管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流23A，采用先進平面工藝制造，極...KNK74120A場效應管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流23A，采用先進平面工藝制造，極低導通電阻RDS（ON）480mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷減少開關...
MOS管在功率放大電路中具有高頻響應快、導通損耗低和驅動效率高等核心優勢；廣...MOS管在功率放大電路中具有高頻響應快、導通損耗低和驅動效率高等核心優勢；廣泛應用于專業音響系統、舞臺設備、汽車電子和射頻功率放大等領域。 1.高效率與大功...
當漏源短接時測得的柵極到源極之間的總電容，它等于柵源電容Cgs加上柵漏電容Cg...當漏源短接時測得的柵極到源極之間的總電容，它等于柵源電容Cgs加上柵漏電容Cgd。這個參數對于驅動電路的設計至關重要，因為它決定了驅動器需要提供的最大充電電流...
KNF6145A場效應管漏源擊穿電壓450V，漏極電流10A，采用專有新型平面技術制造，...KNF6145A場效應管漏源擊穿電壓450V，漏極電流10A，采用專有新型平面技術制造，極低導通電阻RDS（ON）0.39Ω（典型值），最大限度地降低導通電阻，超低柵極電荷，減...
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