逆變器應用mos,74120參數,1200v場效應管,KNK74120A參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-25
KNK74120A場效應管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流23A，采用先進平面工藝制造，極低導通電阻RDS（ON）480mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷減少開關損耗；堅固的多晶硅柵極結構，具有高溫穩定性、出色的穩定性與耐久性，廣泛應用于BLDC電機驅動器、電動焊機、高效SMPS中；封裝形式：TO-264，大功率、高可靠性、優良的散熱性能。
漏源極電壓：1200V
漏極電流：23A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：92A
雪崩能量單脈沖：1600MJ
最大功耗：585W
總柵極電荷：185nC
閾值電壓：2.5-4.5V
輸入電容：7350PF
輸出電容：556PF
反向傳輸電容：55PF
開通延遲時間：60nS
關斷延遲時間：64nS
上升時間：112ns
下降時間：100ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>