7N65b參數,7n65場效應管,650v7a,KND7N65B現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-18
KND7N65B場效應管漏源擊穿電壓650V，漏極電流7A，采用高級平面工藝制造，極低導通電阻RDS(開啟) 1.2Ω，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，開關速度快，降低開關損耗，提高效率；具有高輸入阻抗、低功耗、符合RoHS標準，快速恢復體二極管，性能穩定可靠；廣泛應用于適配器、充電器、SMPS待機電源等；封裝形式：TO-252，體積小、散熱良好。
詳細參數：
漏源電壓：650V
漏極電流：7A
導通電阻：1.2Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：28A
單脈沖雪崩能量：550MJ
功率耗散：126W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：18nC
輸入電容：1100PF
輸出電容：9PF
反向傳輸電容：80PF
開通延遲時間：10nS
關斷延遲時間：16nS
上升時間：10ns
下降時間：9ns
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