它在B處提供一系列窄脈沖，當電容充電到UT的峰值電壓(V_)時，UJT開啟。這會在發...它在B處提供一系列窄脈沖，當電容充電到UT的峰值電壓(V_)時，UJT開啟。這會在發射極–基極1結上放置一個低電阻，并且發射極電流流過脈沖變壓器的初級，將柵極信號...
分立器件 結構：在硅片上通過摻雜、擴散等工藝形成，通常只有一個或少數幾個P...分立器件 結構：在硅片上通過摻雜、擴散等工藝形成，通常只有一個或少數幾個PN結。 功能：具有單獨功能的電子器件，如二極管、晶體管等。
KND6610A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流15A，?采用先進的平面溝槽技術，...KND6610A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流15A，?采用先進的平面溝槽技術，極低導通電阻RDS(on)=83mΩ，可最大限度地減少導電損失，提供卓越的開關性能，并能夠...
在設計驅動變壓器時，其關鍵電氣參數中的兩個參數(漏電感值和繞組電容量)是需要...在設計驅動變壓器時，其關鍵電氣參數中的兩個參數(漏電感值和繞組電容量)是需要控制的。因為大的漏電感值和繞組電容量可能引起諸如相位漂移、時間誤差、噪聲和上沖...
在運放電路中，當兩個輸入端的電壓幾乎相等時，認為兩個輸入端之間存在虛短。這...在運放電路中，當兩個輸入端的電壓幾乎相等時，認為兩個輸入端之間存在虛短。這意味著運放的差模增益無限大，輸入阻抗無窮大。
KPY3203D場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-100A，采用先進的高細胞密度溝槽...KPY3203D場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-100A，采用先進的高細胞密度溝槽技術，極低的導通電阻RDS(on)=3.5mΩ，超低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，最小...
