下圖為反相器的結構示意圖，由一個PMOS和一個NMOS拼接而成； 當v=1時，T1截止...下圖為反相器的結構示意圖，由一個PMOS和一個NMOS拼接而成； 當v=1時，T1截止，T2導通，vo=0; 當v=0時，T1導通，T2截止，vo=1;
當PWM為1時，Q1實現導通，C端的電壓為低，接著Q2的B端電壓也為低，Q2導通； 這...當PWM為1時，Q1實現導通，C端的電壓為低，接著Q2的B端電壓也為低，Q2導通； 這時Q2的E端電壓為14V，經過Q2、D2、R4以后MOS管G端大概為12V，Q管（MOS）導通。在這...
逆變器專用MOS管KIA2906AP漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(on...逆變器專用MOS管KIA2906AP漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(on)=5.5mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，減少開關損耗；具有高雪崩耐量，穩...
反向電流是指在二極管兩端施加反向電壓時流過的電流，通常稱為反向飽和電流或漏...反向電流是指在二極管兩端施加反向電壓時流過的電流，通常稱為反向飽和電流或漏電流。這種電流是由于少數載流子在二極管內部發生漂移運動而產生的。反向飽和電流的...
全橋驅動包含四個功率開關，可以提供正向和反向電流，因此適用于雙電源電機驅動...全橋驅動包含四個功率開關，可以提供正向和反向電流，因此適用于雙電源電機驅動。 特點： 提供正向和反向電流，可以改變電機的旋轉方向。 適用于雙電源供電，例...
KNX2404N場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流190A，采用專有的新型溝槽技術，具...KNX2404N場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流190A，采用專有的新型溝槽技術，具有優越的開關性能；低導通電阻RDS(on)=4mΩ，低柵極電荷，最大限度地降低導通電阻，...
