此問(wèn)題一般情況是在硬開(kāi)關(guān)，因有米勒效應(yīng)，彌勒效應(yīng)時(shí)可確定開(kāi)關(guān)是硬開(kāi)關(guān)，看上...此問(wèn)題一般情況是在硬開(kāi)關(guān)，因有米勒效應(yīng)，彌勒效應(yīng)時(shí)可確定開(kāi)關(guān)是硬開(kāi)關(guān)，看上圖MOS管驅(qū)動(dòng)問(wèn)題嚴(yán)重。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓到米勒平臺(tái)，理想是保持不變，但是如上第二個(gè)圖有...
PFC(功率因數(shù)校正)主要是對(duì)輸入電流波形進(jìn)行控制，使其同步輸入電壓波形。功率...PFC(功率因數(shù)校正)主要是對(duì)輸入電流波形進(jìn)行控制，使其同步輸入電壓波形。功率因數(shù)是指有功功率與視在功率的比值。功率因素可以衡量電力被有效利用的程度，當(dāng)功率...
?小電流PMOS管 KIA3409 -2.6A-30V介紹 KIA3409采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越...?小電流PMOS管 KIA3409 -2.6A-30V介紹 KIA3409采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS（on）低柵極充電。這款產(chǎn)品適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或在脈寬調(diào)制應(yīng)用中使用。是一款標(biāo)...
（1）SJ-MOS在N層具有柱狀P層（P柱層）。P層和N層交替排列。（參見(jiàn)圖3-9（b））...（1）SJ-MOS在N層具有柱狀P層（P柱層）。P層和N層交替排列。（參見(jiàn)圖3-9（b）） （2）通過(guò)施加VDS，耗盡層在N層中擴(kuò)展，但其在SJ-MOS中的擴(kuò)展方式與在一般D-MOS中...
1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時(shí)候散熱能力不及IGBT。 2、I...1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時(shí)候散熱能力不及IGBT。 2、IGBT短路后能夠退飽和（desaturation）進(jìn)入線性區(qū)，電流不再增加，能夠自我限流。
1、降壓拓?fù)淙缟蠄D，要想掌握降壓電路，必須深刻理解拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，幾乎所有降壓DC...1、降壓拓?fù)淙缟蠄D，要想掌握降壓電路，必須深刻理解拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，幾乎所有降壓DC to DC 都是基于此拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 2、環(huán)路一，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的電流路徑；環(huán)路二，開(kāi)關(guān)閉合...
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