當SiC MOSFET的LS導通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加...當SiC MOSFET的LS導通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動，受下述等效電路圖中所示的事件(I)影響，在圖中所示的...
LS（低邊）側SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討...LS（低邊）側SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時,需要在包括SiC MOSFET的...
在交流電路中，由電源供給負載的電功率有兩種：一種是有功功率，一種是無功功率...在交流電路中，由電源供給負載的電功率有兩種：一種是有功功率，一種是無功功率。電壓電流同相位，電源向負載供電，負載把電能轉換成其他能量，叫有功。電壓電流不...
在不低于幾百伏的較高電壓下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一個位...在不低于幾百伏的較高電壓下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一個位置的有力競爭產(chǎn)品，它們的數(shù)據(jù)資料中通常標明特定額定電壓、結溫和柵極驅動電壓下的...
在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應用中，使用有源開關而非肖特基二極管是標準做法。這...在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應用中，使用有源開關而非肖特基二極管是標準做法。這樣能大大提高轉換效率，尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時。在需要電流隔離的應用中，也可使用...
此經(jīng)典電路優(yōu)點比較明顯，電路結構簡單、極低干擾噪聲、穩(wěn)定性好；同時此電路也...此經(jīng)典電路優(yōu)點比較明顯，電路結構簡單、極低干擾噪聲、穩(wěn)定性好；同時此電路也有缺點，輸入交流電范圍窄（一般是220VAC±5%），體積重量大；雖然此電路缺點明顯目...
