【圖文詳解】場效應(yīng)管的偏置電路及靜態(tài)分析-KIA MOS管

為了保證在有輸入信號(hào)時(shí)，場效應(yīng)管始終工作在放大區(qū)(恒流區(qū)),同晶體管一樣，場效應(yīng)管放大電路也要建立合適的靜態(tài)工作點(diǎn)。所不同的是，場效應(yīng)管是電壓控制器件，因此它需要有合適的柵源電壓。根據(jù)不同類型的場效應(yīng)管對(duì)柵源電壓 UGS 的要求，通常偏置形式有兩種：

一種是只適合結(jié)型和耗盡型場效應(yīng)管的自偏壓電路

一種是用于各種類型場效應(yīng)管的分壓式偏置電路

1. 自給偏壓式電路

場效應(yīng)管偏置電路靜態(tài)

自給偏壓方式適合于結(jié)型場效應(yīng)管和耗盡型場效應(yīng)管

由耗盡型MOS管的特性可知，即使UGS = 0,在相應(yīng)的電壓 UDS 作用下也有漏極電流 ID。

在圖所示電路中，當(dāng)ID流過源極電阻R時(shí)會(huì)產(chǎn)生壓降 USQ = IDQ * R，由于柵極電流為零，從而使R電流為零，所以柵極電位VGQ = 0，因此柵-源靜態(tài)電壓為

場效應(yīng)管偏置電路靜態(tài)

靜態(tài)工作點(diǎn)分析:

由以下公式能算出 IDQ 和 UDSQ

場效應(yīng)管偏置電路靜態(tài)

2. 分壓式自偏壓電路

上圖所示的電路簡單，也有一定的穩(wěn)定工作點(diǎn)的作用。但Ra的取值不能取得很大，否則將使負(fù)偏壓過高，放大倍數(shù)下降，并產(chǎn)生嚴(yán)重的非線性失真。

所示的電路為N溝道增強(qiáng)型MOS管共源放大電路，所示電路的改進(jìn)電路，在它的柵極上加接了一個(gè)正電位，即通過電阻Rg1、Rg2分壓后經(jīng)Rg3加至柵極 go由于柵極加了一個(gè)正電位，則可將接在源極s的Rs的阻值適當(dāng)加大，使靜態(tài)工作點(diǎn)Q不至于過低，且穩(wěn)定度大大提高。

場效應(yīng)管偏置電路靜態(tài)