此處是低端電流取樣檢測(cè)，根據(jù)運(yùn)放的虛短和虛短的原則，V-=V+；有(Vout-V-)/R=...此處是低端電流取樣檢測(cè)，根據(jù)運(yùn)放的虛短和虛短的原則，V-=V+；有(Vout-V-)/R=V-/R1; 這里整理公式：VOUT=V+*（R+R1）/R1. 然后我們算V+=mos流過(guò)電阻電流*R2 ，整...
假設(shè)上圖中Vcc為48V，R1 = 47K，R2 = 1K。則根據(jù)電阻分壓，Vi = 48 * （1/48）...假設(shè)上圖中Vcc為48V，R1 = 47K，R2 = 1K。則根據(jù)電阻分壓，Vi = 48 * （1/48）=1V。因?yàn)樘摱蹋篤+ = V-。 （式1）
KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷(xiāo)售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠(chéng)...KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷(xiāo)售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠(chéng)服務(wù)全球開(kāi)關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車(chē)電子、新能源充電樁、太陽(yáng)能設(shè)備、數(shù)碼...
S1端輸出低電平，MOS管導(dǎo)通，S2端輸出低電平。 S1端輸出高電平，MOS管截至，S...S1端輸出低電平，MOS管導(dǎo)通，S2端輸出低電平。 S1端輸出高電平，MOS管截至，S2端輸出高電平。 S1端輸出高阻，MOS管截至，S2端輸出高電平 。
1、Q1、Q2為NMOS，Q3、Q4和Q5為PMOS管，D1為二極管。 2、BAT1和BAT2為電池，B...1、Q1、Q2為NMOS，Q3、Q4和Q5為PMOS管，D1為二極管。 2、BAT1和BAT2為電池，BAT2的容量比BAT1大，VIN_5V為外部電源，VOUT為輸出，給系統(tǒng)供電。 3、VOUT會(huì)從優(yōu)先...
3節(jié)18650鋰電池，使用一個(gè)1開(kāi)4聯(lián)開(kāi)關(guān)。充電時(shí)把開(kāi)關(guān)撥到上面使用并聯(lián)，用TP405...3節(jié)18650鋰電池，使用一個(gè)1開(kāi)4聯(lián)開(kāi)關(guān)。充電時(shí)把開(kāi)關(guān)撥到上面使用并聯(lián)，用TP4056降壓充電芯片，使用一般的手機(jī)充電器即可充電。充滿電壓為4.2V。放電時(shí)把開(kāi)關(guān)撥到下...
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